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Vishay Intertechnology SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V パワーパック SC70-6
SQ1912AEEH-T1_GE3 Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.254900 | $ 2.55 |
| 3000+ | $ 0.141600 | $ 424.8 |
| 6000+ | $ 0.134400 | $ 806.4 |
| 9000+ | $ 0.124800 | $ 1123.2 |
| 30000+ | $ 0.121900 | $ 3657 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
- 製品の状態:アクティブ
- 動作温度:-55℃～175℃(TJ)
- パッケージ・ケース:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- パワー - 最大:1.5W
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-70-6
- F E Tタイプ:2 N チャンネル (デュアル)
- F E Tの特徴:標準
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):20V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:800mA(Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:280ミリオーム @ 1.2A、4.5V
- Vgs(th) (最大) @ I D:1.5V @ 250μA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1.25nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:27pF @ 10V
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