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ROHM Semiconductor QH8K22TCR
QH8K22 はオン抵抗 MO が低いです
QH8K22TCR Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.286200 | $ 0.29 |
| 10+ | $ 0.234900 | $ 2.35 |
| 50+ | $ 0.225900 | $ 11.3 |
| 100+ | $ 0.214200 | $ 21.42 |
| 500+ | $ 0.180000 | $ 90 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
- 製品の状態:アクティブ
- 動作温度:150℃（TJ）
- 取付タイプ:表面実装
- パッケージ・ケース:8-SMD、フラットリード
- テクノロジー:MOSFET (金属酸化物)
- パワー - 最大:1.1W(Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TSMT8
- 構成:2 N チャンネル (デュアル)
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):40V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.5A(Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:46ミリオーム @ 6.5A、10V
- Vgs(th) (最大) @ I D:2.5V @ 10μA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:2.6nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:195pF @ 20V
- 基本製品番号:QH8K22
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:カットテープ(CT)
- 包装:テープ＆リール（TR）
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