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KEMET Corporation TK16E60W5,S1VX
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- Kategorie:Diskrete Halbleiterbauelemente/Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
- Produktstatus:Aktiv
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Durchgangsloch
- Technologie:MOSFET (Metalloxid)
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
- Verlustleistung (max.):130 W (Tc)
- F E T- Typ:N-Kanal
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):600 V
- Strom – kontinuierlicher Abfluss ( Id) bei 25 ° C:15,8 A (Ta)
- Rds On ( Max) @ Id, Vgs:230 mOhm bei 7,9 A, 10 V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4,5 V bei 790 µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:43 nC bei 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) bei Vds:1350 pF bei 300 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds Ein, Min. Rds Ein):10V
- Vgs ( Max):±30V
- Serie:DTMOSIV
- Basisproduktnummer:TK16E60
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