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Rochester Electronics PMN27XPE115
小信号FET
PMN27XPE115 Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.690000 | $ 6.9 |
| 1332+ | $ 0.460000 | $ 612.72 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
- 製品の状態:アクティブ
- 動作温度:-55℃～150℃(TJ)
- 取付タイプ:表面実装
- テクノロジー:MOSFET (金属酸化物)
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-TSOP
- 消費電力(最大):530mW(Ta)、8.33W(Tc)
- F E Tタイプ:Pチャンネル
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):20V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4.4A(Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30ミリオーム @ 3A、4.5V
- Vgs(th) (最大) @ I D:1.25V @ 250μA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:22.5 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1770 pF @ 10 V
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):2.5V、4.5V
- Vgs (最大):±12V
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