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Infineon Technologies DF11MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFETモジュール1200V
DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 63.900000 | $ 63.9 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
- 製品の状態:期限切れ
- 動作温度:-40℃～150℃(TJ)
- 取付タイプ:シャーシマウント
- テクノロジー:炭化ケイ素(SiC)
- パワー - 最大:20mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:AG-EASY1B-2
- 構成:2 N チャンネル (デュアル)
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):1200V(1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A(Tj)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:22.5ミリオーム @ 50A、15V
- Vgs(th) (最大) @ I D:5.55V @ 20mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:124nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3680pF @ 800V
- シリーズ:イージーパック™
- 基本製品番号:DF11MR12
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