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General Electric GE12047CCA3
1200V 475A SIC ハーフブリッジ
GE12047CCA3 Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 2174.000000 | $ 2174 |
| 10+ | $ 2048.000000 | $ 20480 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
- 製品の状態:期限切れ
- 動作温度:-55℃～150℃(Tc)
- 取付タイプ:シャーシマウント
- パッケージ・ケース:モジュール
- テクノロジー:炭化ケイ素(SiC)
- パワー - 最大:1250W
- サプライヤーデバイスパッケージ:モジュール
- 構成:2 N チャネル (ハーフブリッジ)
- F E Tの特徴:炭化ケイ素(SiC)
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):1200V(1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:475A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.4ミリオーム @ 475A、20V
- Vgs(th) (最大) @ I D:4.5V @ 160mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:1248nC @ 18V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:29300pF @ 600V
- シリーズ:SiCパワー
- 基本製品番号:GE12047
- 包装:箱
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