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Efficient Power Conversion Corp. EPC2100
GAN TRANS 非対称ハーフブリッド
EPC2100 Dokument| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 12.150000 | $ 121.5 |
| 500+ | $ 10.125000 | $ 5062.5 |
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- Kategorie:個別半導体デバイス/トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
- 製品の状態:アクティブ
- 動作温度:-40℃～150℃(TJ)
- 取付タイプ:表面実装
- パッケージ・ケース:死ぬ
- テクノロジー:GaNFET（窒化ガリウム）
- サプライヤーデバイスパッケージ:死ぬ
- 構成:2 N チャネル (ハーフブリッジ)
- ドレイン・ソース間電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A(タ)、40A(タ)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.2ミリオーム @ 25A、5V、2.1ミリオーム @ 25A、5V
- Vgs(th) (最大) @ I D:2.5V @ 4mA、2.5V @ 16mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:4.9nC @ 15V、19nC @ 15V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:475pF @ 15V、1960pF @ 15V
- シリーズ:eGaN®
- 基本製品番号:EPC210
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:カットテープ(CT)
- 包装:テープ＆リール（TR）
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