Tagore Technology は、高周波 (RF) および電力管理アプリケーション向けの窒化ガリウム オン シリコン (GaN-on-Si) 半導体テクノロジーの先駆者として 2011 年 1 月に設立されました。当社の高度な独自技術とデバイスは、システム ソリューションの複雑さ、サイズ、重量、消費電力を強力な価格帯で大幅に削減し、シリコン ソリューションと比較して劇的に向上した電力変換性能指数を実現します。当社は、米国イリノイ州アーリントンハイツとインドのコルカタに設計センターを構えるファブレス半導体企業です。当社の研究開発チームは、ワイドバンドギャップ技術を活用した破壊的ソリューションの開発に専念しています。これにより、お客様のRFおよび電源設計の課題に対処し、5Gセルラーインフラストラクチャから消費者、自動車、防衛およびセキュリティに至る幅広いアプリケーションの市場投入までの時間を短縮できます。当社は、主要な半導体ファウンドリおよび組立工場と提携して、最高品質と実証済みの高い信頼性を提供する製品を提供します。