Goford Semiconductor-個別半導体デバイス,トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ Produkte (5)
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| Teil Modell | Hersteller | Einzelpreis | Inventar | Beschreibung | Dokument | Betrieb |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Goford Semiconductor | $ 0.2479 | 24000 | N+P/-40V、RD(MAX)<20M@10V、RD(MAX) |  | ||
| Goford Semiconductor | $ 1.5480 | 7272 | N60V、RD(MAX)<9M@10V、RD(MAX)<13M@ | | ||
| Goford Semiconductor | $ 0.3321 | 30000 | デュアル N チャネルエンハンスメントモードパワー MOSFET | | ||
| Goford Semiconductor | $ 0.2446 | 48000 | N30V、RD(最大)<12M@10V、RD(最大)<13M | | ||
| Goford Semiconductor | $ 0.3548 | 48000 | N/P60V、RD(MAX)<35M@10V、RD(MAX)<4 | |
