Hersteller | NXP Semiconductors |
Integrierte Schaltkreise (ICs) | Spezialisierte ICs |
Produktstatus | Aktiv |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Paket/ Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-236AB |
Verlustleistung (max.) | 490 mW (Ta) |
F E T- Typ | N-Kanal |
Drain- Source- Spannung ( Vdss) | 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss ( Id) bei 25 ° C | 3,7 A (Ta) |
Rds On ( Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm bei 3,7 A, 4,5 V |
Vgs(th) ( Max) @ Id | 900 mV bei 250 µA |
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs | 12 nC bei 4,5 V |
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) bei Vds | 635 pF bei 15 V |
Antriebsspannung ( Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1,8 V, 4,5 V |
Vgs ( Max) | ±12V |