2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードする世界的な半導体企業です。これを確実にするために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーションのサポートなど、あらゆる開発段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 を超える特許を持つ業界最大の IP ポートフォリオの 1 つに裏付けられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定の GaN FET を生み出しました。 Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% 以上の効率、40% の電力密度の向上、20% のシステム コストの削減を実現しています。その方法を次に示します。